APT75GN120B2G Preços (USD) [6404pcs Estoque]
- 1 pcs$6.46756
- 34 pcs$6.43539
- Número da peça:
- APT75GN120B2G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 200A 833W TMAX.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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APT75GN120B2G Atributos do produto
Número da peça :
APT75GN120B2G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
IGBT 1200V 200A 833W TMAX
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
200A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
225A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 75A
Potência - Max :
833W
Energia de comutação :
8045µJ (on), 7640µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
425nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
60ns/620ns
Condição de teste :
800V, 75A, 1 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-247-3 Variant
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
-
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