BSM120D12P2C005 Preços (USD) [249pcs Estoque]
- 1 pcs$194.43503
- 10 pcs$185.04939
- 25 pcs$178.34484
- Número da peça:
- BSM120D12P2C005
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor BSM120D12P2C005 electronic components. BSM120D12P2C005 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM120D12P2C005, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSM120D12P2C005 Atributos do produto
Número da peça :
BSM120D12P2C005
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.7V @ 22mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
14000pF @ 10V
Potência - Max :
780W
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
-
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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