Diodes Incorporated - DMHC3025LSD-13

KEY Part #: K6525054

DMHC3025LSD-13 Preços (USD) [236821pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.15618
  • 2,500 pcs$0.13878

Número da peça:
DMHC3025LSD-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMHC3025LSD-13 Atributos do produto

Número da peça : DMHC3025LSD-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A, 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11.7nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 15V
Potência - Max : 1.5W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO

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