FDMS8050 Preços (USD) [59982pcs Estoque]
- 1 pcs$0.65513
- 3,000 pcs$0.65187
- Número da peça:
- FDMS8050
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDMS8050 electronic components. FDMS8050 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS8050, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDMS8050 Atributos do produto
Número da peça :
FDMS8050
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
55A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.65 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 750µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
285nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
22610pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
156W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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