Vishay Semiconductor Diodes Division - RS1DHE3_A/I

KEY Part #: K6432958

RS1DHE3_A/I Preços (USD) [854622pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04328
  • 7,500 pcs$0.04003

Número da peça:
RS1DHE3_A/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 200 Volt 1.0A 150ns 33 Amp IFSM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1DHE3_A/I Atributos do produto

Número da peça : RS1DHE3_A/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 150ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AC, SMA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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