IXYS - IXFN48N50U2

KEY Part #: K6407025

[1116pcs Estoque]


    Número da peça:
    IXFN48N50U2
    Fabricante:
    IXYS
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in IXYS IXFN48N50U2 electronic components. IXFN48N50U2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN48N50U2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFN48N50U2 Atributos do produto

    Número da peça : IXFN48N50U2
    Fabricante : IXYS
    Descrição : MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
    Series : HiPerFET™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 48A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 8mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 270nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 8400pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 520W (Tc)
    Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Chassis Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-227B
    Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC