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  5. EPC2101ENGRT

EPC - EPC2101ENGRT

KEY Part #: K6523299

EPC2101ENGRT Preços (USD) [19588pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.32586
  • 500 pcs$2.31429
Número da peça:
EPC2101ENGRT
Fabricante:
EPC
Descrição detalhada:
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
We specialize in EPC EPC2101ENGRT electronic components. EPC2101ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2101ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2101ENGRT Atributos do produto

Número da peça : EPC2101ENGRT
Fabricante : EPC
Descrição : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Series : eGaN®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 30V
Potência - Max : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die
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