RFUH10NS4STL Preços (USD) [127997pcs Estoque]
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- 1,000 pcs$0.31787
- 2,000 pcs$0.29668
- 5,000 pcs$0.28185
- Número da peça:
- RFUH10NS4STL
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 430V 10A LPDS. Diodes - General Purpose, Power, Switching 430V Vrm 10A Io Recovery Diode
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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RFUH10NS4STL Atributos do produto
Número da peça :
RFUH10NS4STL
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
DIODE GEN PURP 430V 10A LPDS
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
430V
Atual - Média Retificada (Io) :
10A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 10A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
25ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 430V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
LPDS
Temperatura de funcionamento - junção :
150°C (Max)
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