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  5. JAN1N6622US

Microsemi Corporation - JAN1N6622US

KEY Part #: K6442405

[7413pcs Estoque]

    Número da peça:
    JAN1N6622US
    Fabricante:
    Microsemi Corporation
    Descrição detalhada:
    DIODE GEN PURP 660V 2A D5A. Rectifiers Rectifier
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs and Transistores - Unijunction Programável ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6622US electronic components. JAN1N6622US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6622US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N6622US Atributos do produto

    Número da peça : JAN1N6622US
    Fabricante : Microsemi Corporation
    Descrição : DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
    Series : Military, MIL-PRF-19500/585
    Status da Peça : Active
    Tipo de Diodo : Standard
    Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 660V
    Atual - Média Retificada (Io) : 1.2A
    Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.2A
    Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 30ns
    Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 500nA @ 660V
    Capacitância @ Vr, F : 10pF @ 10V, 1MHz
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : SQ-MELF, A
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-5A
    Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 150°C

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