DF11MR12W1M1B11BOMA1 Preços (USD) [695pcs Estoque]
- 1 pcs$66.80379
- Número da peça:
- DF11MR12W1M1B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET MODULE 1200V 50A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BOMA1 electronic components. DF11MR12W1M1B11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF11MR12W1M1B11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Atributos do produto
Número da peça :
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET MODULE 1200V 50A
Series :
CoolSiC™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 20mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
125nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3950pF @ 800V
Potência - Max :
20mW
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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