FDS6900AS Preços (USD) [203104pcs Estoque]
- 1 pcs$0.18302
- 2,500 pcs$0.18211
- Número da peça:
- FDS6900AS
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDS6900AS electronic components. FDS6900AS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6900AS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDS6900AS Atributos do produto
Número da peça :
FDS6900AS
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Series :
PowerTrench®, SyncFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.9A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
27 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
600pF @ 15V
Potência - Max :
900mW
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOIC
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