EGL41BHE3_A/I Preços (USD) [758794pcs Estoque]
- 1 pcs$0.04875
- Número da peça:
- EGL41BHE3_A/I
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 1A,100V,50NS AEC-Q101 Qualified
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL41BHE3_A/I electronic components. EGL41BHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL41BHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGL41BHE3_A/I Atributos do produto
Número da peça :
EGL41BHE3_A/I
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Series :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1V @ 1A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F :
20pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-213AB, MELF (Glass)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-213AB
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C
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