[164pcs Estoque]
- Número da peça:
- IPSH6N03LB G
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 50A IPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPSH6N03LB G electronic components. IPSH6N03LB G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPSH6N03LB G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPSH6N03LB G Atributos do produto
Número da peça :
IPSH6N03LB G
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 40µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2800pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
83W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO251-3
Pacote / caso :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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