Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-25ETS10S-M3

KEY Part #: K6434452

VS-25ETS10S-M3 Preços (USD) [88521pcs Estoque]

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Número da peça:
VS-25ETS10S-M3
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 1KV 25A TO263AB. Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - TRIACs and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-25ETS10S-M3 Atributos do produto

Número da peça : VS-25ETS10S-M3
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 1KV 25A TO263AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V
Atual - Média Retificada (Io) : 25A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.14V @ 25A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100µA @ 1000V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (D2Pak)
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C

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