Diodes Incorporated - DMPH4015SSSQ-13

KEY Part #: K6394159

DMPH4015SSSQ-13 Preços (USD) [206485pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.17913
  • 2,500 pcs$0.15227

Número da peça:
DMPH4015SSSQ-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMPH4015SSSQ-13 Atributos do produto

Número da peça : DMPH4015SSSQ-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 91nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4234pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.8W
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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