Infineon Technologies - IPD80R1K4P7ATMA1

KEY Part #: K6403581

IPD80R1K4P7ATMA1 Preços (USD) [190210pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.19446
  • 2,500 pcs$0.18546

Número da peça:
IPD80R1K4P7ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 4A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Infineon Technologies IPD80R1K4P7ATMA1 electronic components. IPD80R1K4P7ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD80R1K4P7ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD80R1K4P7ATMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPD80R1K4P7ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 700µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 500V
Recurso FET : Super Junction
Dissipação de energia (máx.) : 32W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63