APT65GP60B2G Preços (USD) [4372pcs Estoque]
- 1 pcs$9.90999
- 10 pcs$9.01072
- 25 pcs$8.33514
- 100 pcs$7.28565
- 250 pcs$6.64278
- Número da peça:
- APT65GP60B2G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- IGBT 600V 100A 833W TMAX.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APT65GP60B2G electronic components. APT65GP60B2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT65GP60B2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT65GP60B2G Atributos do produto
Número da peça :
APT65GP60B2G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
IGBT 600V 100A 833W TMAX
Series :
POWER MOS 7®
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
PT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
100A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
250A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 65A
Potência - Max :
833W
Energia de comutação :
605µJ (on), 896µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
210nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
30ns/91ns
Condição de teste :
400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-247-3 Variant
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
-
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