IXYS - IXFP60N25X3

KEY Part #: K6398216

IXFP60N25X3 Preços (USD) [14986pcs Estoque]

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  • 500 pcs$1.79452
  • 1,000 pcs$1.51345

Número da peça:
IXFP60N25X3
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP60N25X3 Atributos do produto

Número da peça : IXFP60N25X3
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3610pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 320W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB (IXFP)
Pacote / caso : TO-220-3

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