ON Semiconductor - FGH25N120FTDS

KEY Part #: K6421740

FGH25N120FTDS Preços (USD) [11882pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.46831

Número da peça:
FGH25N120FTDS
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 50A 313W TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGH25N120FTDS Atributos do produto

Número da peça : FGH25N120FTDS
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 1200V 50A 313W TO247
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 50A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 75A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 25A
Potência - Max : 313W
Energia de comutação : 1.42mJ (on), 1.16mJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 169nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 26ns/151ns
Condição de teste : 600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 535ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247

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