Número da peça :
2SK879-GR(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
JFET N-CH 0.1W USM
Tensão - Divisão (V (BR) GSS) :
-
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
-
Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs = 0) :
2.6mA @ 10V
Dreno atual (Id) - Max :
-
Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id :
400mV @ 100nA
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8.2pF @ 10V
Resistência - RDS (On) :
-
Temperatura de operação :
125°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SC-70, SOT-323
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
USM