Taiwan Semiconductor Corporation - ES3DVHM6G

KEY Part #: K6434616

ES3DVHM6G Preços (USD) [761822pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04855

Número da peça:
ES3DVHM6G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES3DVHM6G Atributos do produto

Número da peça : ES3DVHM6G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 3A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 20ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AB, SMC
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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