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  5. JAN1N5807US

Microsemi Corporation - JAN1N5807US

KEY Part #: K6453027

JAN1N5807US Preços (USD) [9771pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.66293
  • 100 pcs$4.63973
Número da peça:
JAN1N5807US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes MIL, QPL PART, 3A 50V ULTRAFAST RECT- SQ END CAPS
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5807US electronic components. JAN1N5807US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5807US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5807US Atributos do produto

Número da peça : JAN1N5807US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF
Series : Military, MIL-PRF-19500/477
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 50V
Atual - Média Retificada (Io) : 6A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 30ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 50V
Capacitância @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SQ-MELF, B
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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