Vishay Semiconductor Diodes Division - S3J-E3/9AT

KEY Part #: K6450490

S3J-E3/9AT Preços (USD) [652808pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.05666
  • 3,500 pcs$0.04748

Número da peça:
S3J-E3/9AT
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB. Rectifiers 3.0 Amp 600 Volt 100 Amp IFSM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S3J-E3/9AT Atributos do produto

Número da peça : S3J-E3/9AT
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 2.5A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 2.5µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AB, SMC
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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