Vishay Semiconductor Diodes Division - UGB18DCT-E3/81

KEY Part #: K6479170

UGB18DCT-E3/81 Preços (USD) [93142pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.41980
  • 800 pcs$0.38959

Número da peça:
UGB18DCT-E3/81
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE ARRAY GP 200V 18A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 18 Amp 20ns Dual 175 Amp IFSM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UGB18DCT-E3/81 Atributos do produto

Número da peça : UGB18DCT-E3/81
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE ARRAY GP 200V 18A TO263AB
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Cathode
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 18A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 9A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 30ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 200V
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB

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