Número da peça :
GI756-E3/73
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 600V 6A P600
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Atual - Média Retificada (Io) :
6A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
900mV @ 6A
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
2.5µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
5µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F :
150pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
P600, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
P600
Temperatura de funcionamento - junção :
-50°C ~ 150°C