FZ1800R17HE4B9HOSA2 Preços (USD) [93pcs Estoque]
- 1 pcs$377.87607
- Número da peça:
- FZ1800R17HE4B9HOSA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MODULE IGBT IHMB190-2.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Tiristores - SCRs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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FZ1800R17HE4B9HOSA2 Atributos do produto
Número da peça :
FZ1800R17HE4B9HOSA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MODULE IGBT IHMB190-2
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
-
Configuração :
Single Switch
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1700V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
1800A
Potência - Max :
11500W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.3V @ 15V, 1800A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
145nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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