Vishay Semiconductor Diodes Division - US1BHE3_A/I

KEY Part #: K6433806

US1BHE3_A/I Preços (USD) [833375pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04683
  • 7,500 pcs$0.04660

Número da peça:
US1BHE3_A/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 100 Volt 1.0A 50ns 30 Amp IFSM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

US1BHE3_A/I Atributos do produto

Número da peça : US1BHE3_A/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1V @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AC, SMA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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