Toshiba Semiconductor and Storage - RN2710JE(TE85L,F)

KEY Part #: K6529183

RN2710JE(TE85L,F) Preços (USD) [1060332pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.03488

Número da peça:
RN2710JE(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2710JE(TE85L,F) Atributos do produto

Número da peça : RN2710JE(TE85L,F)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de transistor : 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 100mA
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 50V
Resistor - Base (R1) : 4.7 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2) : -
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - corte de coletor (máx.) : 100nA (ICBO)
Freqüência - Transição : 200MHz
Potência - Max : 100mW
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SOT-553
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ESV

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