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  5. MBR2X120A080

GeneSiC Semiconductor - MBR2X120A080

KEY Part #: K6468879

MBR2X120A080 Preços (USD) [2343pcs Estoque]

  • 1 pcs$18.48906
  • 40 pcs$10.74983
Número da peça:
MBR2X120A080
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227. Schottky Diodes & Rectifiers 80V 240A Fwd Schottky
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR2X120A080 electronic components. MBR2X120A080 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR2X120A080, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR2X120A080 Atributos do produto

Número da peça : MBR2X120A080
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 2 Independent
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 80V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 120A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 840mV @ 120A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1mA @ 80V
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-227
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