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  5. JANTXV1N5806US

Microsemi Corporation - JANTXV1N5806US

KEY Part #: K6433001

JANTXV1N5806US Preços (USD) [7408pcs Estoque]

  • 1 pcs$6.33596
  • 131 pcs$6.30443
Número da peça:
JANTXV1N5806US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 150V 1A D5A. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 2.5A SFST 150V HRV 2FFTV
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5806US electronic components. JANTXV1N5806US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5806US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5806US Atributos do produto

Número da peça : JANTXV1N5806US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
Series : Military, MIL-PRF-19500/477
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 150V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 25ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1µA @ 150V
Capacitância @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SQ-MELF, A
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-5A
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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