Vishay Semiconductor Diodes Division - EGF1T-E3/67A

KEY Part #: K6457365

EGF1T-E3/67A Preços (USD) [462678pcs Estoque]

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Número da peça:
EGF1T-E3/67A
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA. Rectifiers 1.0 Amp 1300 Volt
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGF1T-E3/67A Atributos do produto

Número da peça : EGF1T-E3/67A
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
Series : SUPERECTIFIER®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1300V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 3V @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 75ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 1300V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214BA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214BA (GF1)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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