Infineon Technologies - FF800R17KE3NOSA1

KEY Part #: K6533168

FF800R17KE3NOSA1 Preços (USD) [110pcs Estoque]

  • 1 pcs$417.25024

Número da peça:
FF800R17KE3NOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT MODULE VCES 1200V 800A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF800R17KE3NOSA1 Atributos do produto

Número da peça : FF800R17KE3NOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT MODULE VCES 1200V 800A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : -
Configuração : 2 Independent
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1700V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : -
Potência - Max : 4450W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 800A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 72nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operação : -40°C ~ 125°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module