Número da peça :
1N5617US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
400V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.6V @ 3A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
150ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
500nA @ 400V
Capacitância @ Vr, F :
35pF @ 12V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SQ-MELF, A
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-5A
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C