Infineon Technologies - IPD50R800CEBTMA1

KEY Part #: K6404159

[8730pcs Estoque]


    Número da peça:
    IPD50R800CEBTMA1
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET N CH 500V 5A TO252.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores - SCRs ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD50R800CEBTMA1 Atributos do produto

    Número da peça : IPD50R800CEBTMA1
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET N CH 500V 5A TO252
    Series : CoolMOS™
    Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 13V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 1.5A, 13V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 130µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12.4nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 280pF @ 100V
    Recurso FET : Super Junction
    Dissipação de energia (máx.) : 40W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO252-3
    Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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