[3958pcs Estoque]
- Número da peça:
- EGF1B-1HE3/5CA
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGF1B-1HE3/5CA electronic components. EGF1B-1HE3/5CA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGF1B-1HE3/5CA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGF1B-1HE3/5CA Atributos do produto
Número da peça :
EGF1B-1HE3/5CA
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Series :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1V @ 1A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-214BA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-214BA (GF1)
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C
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