Número da peça :
QJD1210011
Fabricante :
Powerex Inc.
Descrição :
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
500nC @ 20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
10200pF @ 800V
Temperatura de operação :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module