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  5. MBR60060CT

GeneSiC Semiconductor - MBR60060CT

KEY Part #: K6468816

MBR60060CT Preços (USD) [969pcs Estoque]

  • 1 pcs$50.01357
  • 25 pcs$49.76475
Número da peça:
MBR60060CT
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 60P42RV
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR60060CT electronic components. MBR60060CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR60060CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR60060CT Atributos do produto

Número da peça : MBR60060CT
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Cathode
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 60V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 300A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 800mV @ 300A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1mA @ 20V
Temperatura de funcionamento - junção : -50°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Twin Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Twin Tower
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