STMicroelectronics - STGW15M120DF3

KEY Part #: K6422339

STGW15M120DF3 Preços (USD) [18376pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.24272
  • 600 pcs$2.00827

Número da peça:
STGW15M120DF3
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 30A 259W.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGW15M120DF3 Atributos do produto

Número da peça : STGW15M120DF3
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : IGBT 1200V 30A 259W
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 30A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 60A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 15A
Potência - Max : 259W
Energia de comutação : 550µJ (on), 850µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 226nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 26ns/122ns
Condição de teste : 600V, 15A, 22 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 270ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247