Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10KHM3_A/H

KEY Part #: K6439825

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Número da peça:
BYG10KHM3_A/H
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214. Rectifiers 1.5A,800V SMA AVAL AEC-Q101 Qualified
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10KHM3_A/H Atributos do produto

Número da peça : BYG10KHM3_A/H
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Avalanche
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V
Atual - Média Retificada (Io) : 1.5A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 1.5A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 4µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1µA @ 800V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AC, SMA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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