IXYS - IXXX200N65B4

KEY Part #: K6422831

IXXX200N65B4 Preços (USD) [5041pcs Estoque]

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  • 10 pcs$7.78541
  • 25 pcs$7.20157
  • 100 pcs$6.61760
  • 250 pcs$6.03369

Número da peça:
IXXX200N65B4
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
IGBT 650V 370A 1150W PLUS247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXXX200N65B4 Atributos do produto

Número da peça : IXXX200N65B4
Fabricante : IXYS
Descrição : IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
Series : GenX4™, XPT™
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : PT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 370A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 1000A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 1.7V @ 15V, 160A
Potência - Max : 1150W
Energia de comutação : 4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 553nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 62ns/245ns
Condição de teste : 400V, 100A, 1 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PLUS247™-3