VS-GT400TH60N Preços (USD) [164pcs Estoque]
- 1 pcs$281.77816
- 12 pcs$223.00207
- Número da peça:
- VS-GT400TH60N
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- IGBT 600V 530A 1600W DIAP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
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VS-GT400TH60N Atributos do produto
Número da peça :
VS-GT400TH60N
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
IGBT 600V 530A 1600W DIAP
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
Trench
Configuração :
Half Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
530A
Potência - Max :
1600W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.05V @ 15V, 400A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
30.8nF @ 30V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Double INT-A-PAK (3 + 8)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Double INT-A-PAK
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