Vishay Semiconductor Diodes Division - VB20120C-E3/8W

KEY Part #: K6471928

VB20120C-E3/8W Preços (USD) [74264pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.52650
  • 800 pcs$0.48861

Número da peça:
VB20120C-E3/8W
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VB20120C-E3/8W Atributos do produto

Número da peça : VB20120C-E3/8W
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263
Series : TMBS®
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Cathode
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 120V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 10A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 10A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 700µA @ 120V
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB

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