IGB03N120H2ATMA1 Preços (USD) [96764pcs Estoque]
- 1 pcs$0.40409
- 1,000 pcs$0.34280
- Número da peça:
- IGB03N120H2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IGB03N120H2ATMA1 electronic components. IGB03N120H2ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IGB03N120H2ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IGB03N120H2ATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IGB03N120H2ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
-
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
9.6A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
9.9A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.8V @ 15V, 3A
Potência - Max :
62.5W
Energia de comutação :
290µJ
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
22nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
9.2ns/281ns
Condição de teste :
800V, 3A, 82 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO263-3
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