TH58BYG2S3HBAI6 Preços (USD) [16879pcs Estoque]
- 1 pcs$2.25638
- 10 pcs$2.04661
- 25 pcs$2.00236
- 50 pcs$1.99126
- Número da peça:
- TH58BYG2S3HBAI6
- Fabricante:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Descrição detalhada:
- IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Interface - Controladores, PMIC - Iluminação, Controladores de Lastro, Embutido - PLDs (dispositivo lógico programável), PMIC - Drivers de Gate, PMIC - Reguladores de tensão - Linear, PMIC - Gerenciamento de Bateria, Lógica - Registros de turno and Lógica - Portões e Inversores ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6 electronic components. TH58BYG2S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58BYG2S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TH58BYG2S3HBAI6 Atributos do produto
Número da peça :
TH58BYG2S3HBAI6
Fabricante :
Toshiba Memory America, Inc.
Descrição :
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Series :
Benand™
Status da Peça :
Active
Tipo de memória :
Non-Volatile
Formato de memória :
FLASH
Tecnologia :
FLASH - NAND (SLC)
Tamanho da memória :
4Gb (512M x 8)
Freqüência do relógio :
-
Escrever tempo de ciclo - Word, página :
25ns
Tempo de acesso :
25ns
Interface de memória :
Parallel
Tensão - fonte :
1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operação :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
67-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
67-VFBGA (6.5x8)
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