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Toshiba Memory America, Inc. - TH58BYG2S3HBAI6

KEY Part #: K937444

TH58BYG2S3HBAI6 Preços (USD) [16879pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.25638
  • 10 pcs$2.04661
  • 25 pcs$2.00236
  • 50 pcs$1.99126
Número da peça:
TH58BYG2S3HBAI6
Fabricante:
Toshiba Memory America, Inc.
Descrição detalhada:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Linear - Amplificadores - Finalidade Especial, Lógica - Portões e Inversores, Embutido - Microcontroladores - Específicos da Apl, Logic - Comparadores, PMIC - OR Controladores, diodos ideais, Embarcado - FPGAs (Field Programmable Gate Array), Logic - Tradutores, Level Shifters and PMIC - Reguladores de tensão - finalidade especial ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6 electronic components. TH58BYG2S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58BYG2S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58BYG2S3HBAI6 Atributos do produto

Número da peça : TH58BYG2S3HBAI6
Fabricante : Toshiba Memory America, Inc.
Descrição : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Series : Benand™
Status da Peça : Active
Tipo de memória : Non-Volatile
Formato de memória : FLASH
Tecnologia : FLASH - NAND (SLC)
Tamanho da memória : 4Gb (512M x 8)
Freqüência do relógio : -
Escrever tempo de ciclo - Word, página : 25ns
Tempo de acesso : 25ns
Interface de memória : Parallel
Tensão - fonte : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operação : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 67-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 67-VFBGA (6.5x8)

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