IXYS - IXYP20N65C3D1M

KEY Part #: K6421985

IXYP20N65C3D1M Preços (USD) [37110pcs Estoque]

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  • 2,500 pcs$0.59604

Número da peça:
IXYP20N65C3D1M
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
IGBT 650V 18A 50W TO220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXYP20N65C3D1M Atributos do produto

Número da peça : IXYP20N65C3D1M
Fabricante : IXYS
Descrição : IGBT 650V 18A 50W TO220
Series : GenX3™, XPT™
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : PT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 18A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 105A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 20A
Potência - Max : 50W
Energia de comutação : 430µJ (on), 350µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 30nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 19ns/80ns
Condição de teste : 400V, 20A, 20 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 30ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-220-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB