MBRM110ET3G Preços (USD) [1012464pcs Estoque]
- 1 pcs$0.03653
- 12,000 pcs$0.03643
- Número da peça:
- MBRM110ET3G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 10V Low Leakage
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor MBRM110ET3G electronic components. MBRM110ET3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRM110ET3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MBRM110ET3G Atributos do produto
Número da peça :
MBRM110ET3G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
10V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
530mV @ 1A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
1µA @ 10V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-216AA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Powermite
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
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