Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GT200TP065N

KEY Part #: K6533269

VS-GT200TP065N Preços (USD) [810pcs Estoque]

  • 1 pcs$57.25217
  • 24 pcs$47.45463

Número da peça:
VS-GT200TP065N
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
IGBT.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GT200TP065N Atributos do produto

Número da peça : VS-GT200TP065N
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : IGBT
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench
Configuração : Half Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 221A
Potência - Max : 600W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.12V @ 15V, 200A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 60µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : -
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operação : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : INT-A-Pak
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : INT-A-PAK

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