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  5. JAN1N3766R

Microsemi Corporation - JAN1N3766R

KEY Part #: K6443513

JAN1N3766R Preços (USD) [1431pcs Estoque]

  • 1 pcs$30.39572
  • 100 pcs$30.24450
Número da peça:
JAN1N3766R
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB. Rectifiers Rectifier
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N3766R electronic components. JAN1N3766R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N3766R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N3766R Atributos do produto

Número da peça : JAN1N3766R
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
Series : Military, MIL-PRF-19500/297
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard, Reverse Polarity
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V
Atual - Média Retificada (Io) : 35A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 110A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 800V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Chassis, Stud Mount
Pacote / caso : DO-203AB, DO-5, Stud
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-5
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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