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GeneSiC Semiconductor - GB01SLT12-252

KEY Part #: K6447738

GB01SLT12-252 Preços (USD) [72594pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.56008
  • 10 pcs$1.39085
  • 25 pcs$1.25194
  • 100 pcs$1.08208
  • 250 pcs$0.97653
  • 500 pcs$0.87624
  • 1,000 pcs$0.73899
  • 2,500 pcs$0.70204
  • 5,000 pcs$0.67565
Número da peça:
GB01SLT12-252
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252 electronic components. GB01SLT12-252 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB01SLT12-252, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB01SLT12-252 Atributos do produto

Número da peça : GB01SLT12-252
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 1A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 2µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F : 69pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C
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