IDH04G65C6XKSA1 Preços (USD) [41564pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.86630
- 100 pcs$0.69643
- 500 pcs$0.57217
- 1,000 pcs$0.47408
- Número da peça:
- IDH04G65C6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IDH04G65C6XKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IDH04G65C6XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
650V
Atual - Média Retificada (Io) :
12A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.35V @ 4A
Rapidez :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
14µA @ 420V
Capacitância @ Vr, F :
205pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-220-2
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-2
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 175°C
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